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전기기사 공식 모음·정리

전기기사 필기는 개념을 공식으로 묶어 정리할 때 풀이 속도가 크게 붙는다. 이 쪽에서는 문항에 자주 등장하는 공식을 한곳에 모아 변수 뜻과 단위까지 함께 정리했다. 시험 직전에는 변수표를 가리고 공식을 다시 유도해 보며 암기를 점검해 보자.

2026-10-22 기준 · 전기기사 대시보드

이 개념을 문제로 확인하고 싶으면 이 개념 문제 10개 풀기

자속밀도와 투자율

B=μ0μrHB = μ0 μr H
기호뜻단위
B자속밀도T(테슬라)
μ0진공의 투자율H/m
μr상대 투자율무차원
H자계의 세기A/m

투자율이 μr인 매질 속에서 자계의 세기 H가 만드는 자속밀도를 구하는 기본식이다. 상대 투자율은 진공에 대한 비율이므로 단위가 없다.

직선 도체 주위의 자계(암페어의 주회 법칙)

H=I/(2πr)H = I/(2πr)
기호뜻단위
H자계의 세기A/m
I도체에 흐르는 전류A
r도체 중심까지의 거리m

무한히 긴 직선 도체에 전류 I가 흐를 때 거리 r 지점의 자계 세기를 구한다. 거리가 멀어질수록 자계는 약해진다.

출력에서 토크 구하기

T=P/ωT = P/ω
기호뜻단위
T토크(돌림힘)N·m
P출력W
ω각속도rad/s

출력을 각속도로 나누어 회전 기계의 토크를 구한다. 같은 출력이라면 느리게 도는 쪽이 토크가 크다는 것을 보여 준다.

정전 에너지 밀도

u=1/2E⋅Du = 1/2 E·D
기호뜻단위
u정전 에너지 밀도J/m³
E전계의 세기V/m
D전속밀도C/m²

전계가 차 있는 공간이 지니는 단위 부피당 정전 에너지를 구한다. 콘덴서에 저장되는 에너지 계산의 기본이 되는 식이다.

자속밀도의 정의

B=Φ/AB = Φ/A
기호뜻단위
B자속밀도T
Φ자속Wb(웨버)
A자계에 수직인 단면적m²

어떤 단면을 통과하는 자속을 그 면적으로 나눈 값이 자속밀도다. 자속 밀도는 자계를 정량적으로 다룰 때 가장 먼저 쓰는 양이다.

전위의 기울기로 구한 전계

E=−gradVE = -grad V
기호뜻단위
E전계의 세기V/m
V전위V

전계는 전위가 낮아지는 방향, 즉 전위의 음의 기울기 방향으로 향한다. 전위 분포를 알면 전계의 크기와 방향을 구할 수 있다.

콘덴서에 흐르는 교류 전류

I=ωCVI = ω C V
기호뜻단위
I전류A
ω각주파수rad/s
C정전용량F
V전압V

교류에서 콘덴서에 흐르는 전류는 정전용량과 전압, 각주파수에 비례한다. 주파수가 높아지면 같은 콘덴서에 더 큰 전류가 흐른다.

유전체의 분극도

P=D−ε0EP = D - ε0 E
기호뜻단위
P분극도C/m²
D전속밀도C/m²
ε0진공의 유전율F/m
E전계의 세기V/m

유전체 속에서 전속밀도에서 진공 몫 ε0E를 빼면 물질이 스스로 만든 분극 성분이 남는다. 분극도는 유전체의 종류를 가리는 척도로 쓰인다.

고립 도체 구의 정전용량

C=4πε0rC = 4πε0 r
기호뜻단위
C정전용량F
ε0진공의 유전율F/m
r구의 반지름m

진공 속에 홀로 놓인 도체 구의 정전용량은 반지름에 비례한다. 구의 크기만 알면 정전용량이 곧바로 정해진다.

전속밀도와 전계의 관계

D=εED = ε E
기호뜻단위
D전속밀도C/m²
ε매질의 유전율F/m
E전계의 세기V/m

같은 전계라도 유전율이 큰 매질에서는 전속밀도가 더 크다. 유전체를 다루는 문제의 출발점이 되는 관계식이다.

직류 발전기의 유기 기전력

E=V+Ia⋅RaE = V + Ia·Ra
기호뜻단위
E유기 기전력V
V단자 전압V
Ia전기자 전류A
Ra전기자 회로 저항Ω

발전기에서 만들어진 기전력은 단자 전압에 전기자 강하를 더한 값과 같다. 단자 전압과 기전력의 차이로 전기자 저항을 구하는 문제에 쓰인다.

자계 속 도체에 작용하는 전자력

F=BILsinθ(=F=ILBsinθ)F = B I L sinθ (= F = I L B sinθ)
기호뜻단위
F전자력N
B자속밀도T
I도체에 흐르는 전류A
L자계 속에 있는 도체의 유효 길이m
θ자계와 도체가 이루는 각°(도)

자계 속에서 전류가 흐르는 도체가 받는 힘을 구한다. 곱하는 차례를 달리 적은 F = I L B sinθ 표기도 자료에 함께 나온다.

삼상 회로의 선전류

I=S/(√3⋅V)I = S/(√3·V)
기호뜻단위
I선전류A
S피상 전력VA
V선전압V

삼상 교류에서 피상 전력과 선전압으로 선전류를 구한다. 전력 계산 문제에서 가장 자주 쓰이는 관계 중 하나다.

옴의 법칙

I=V/RI = V/R
기호뜻단위
I전류A
V전압V
R저항Ω

전압을 저항으로 나눈 값이 흐르는 전류라는 옴의 법칙의 기본형이다. 모든 전기 회로 계산의 출발점이 되는 식이다.

RL 회로 시정수의 변형

L=τ⋅RL = τ·R
기호뜻단위
L인덕턴스H
τ시정수s
R저항Ω

RL 회로의 시정수 관계를 인덕턴스에 대해 다시 쓴 꼴이다. 시정수와 저항을 알면 코일의 인덕턴스를 구할 수 있다.

토크와 각속도로 구한 출력

P=T⋅ωP = T·ω
기호뜻단위
P출력W
T토크N·m
ω각속도rad/s

토크와 각속도를 곱해 회전 기계의 출력을 구한다. T = P/ω를 출력에 대해 다시 쓴 식이기도 하다.

무효 전력

Q=P⋅tanφQ = P·tanφ
기호뜻단위
Q무효 전력var
P유효 전력W
φ전압과 전류의 위상차°(도)

유효 전력에 위상차 각의 탄젠트를 곱하면 무효 전력이 된다. 역률 개선 문제에서 기준이 되는 양이다.

저항률과 도체 저항

R=ρL/AR = ρL/A
기호뜻단위
R도체의 저항Ω
ρ저항률Ω·m
L도체의 길이m
A도체의 단면적m²

도체의 저항은 길이에 비례하고 단면적에 반비례한다. 재질의 성질은 저항률 하나로 정리된다.

균일 전계에서의 전위차

V=E⋅dV = E·d
기호뜻단위
V전위차V
E전계의 세기V/m
d전계 방향의 거리m

전계 세기가 일정한 공간에서는 전위차가 거리에 비례해 커진다. 평행판 전극 문제에서 기본으로 쓰인다.

정전 용량 리액턴스

Xc=1/(2πfC)Xc = 1/(2πfC)
기호뜻단위
Xc용량 리액턴스Ω
f주파수Hz
C정전용량F

콘덴서가 교류에 대해 보이는 저항 성분이다. 주파수가 높거나 정전용량이 클수록 리액턴스는 작아진다.

상전압으로 구한 임피던스

Z=Vph/IZ = Vph/I
기호뜻단위
Z임피던스Ω
Vph상전압V
I전류A

한 상의 상전압을 그 상에 흐르는 전류로 나누어 임피던스를 구한다. 삼상 부하를 한 상씩 뜯어 볼 때 쓰는 관계다.

선로의 특성 임피던스

Z0=sqrt(L/C)Z0 = sqrt(L/C)
기호뜻단위
Z0특성 임피던스Ω
L선로의 인덕턴스H
C선로의 정전용량F

손실을 무시한 선로에서 분포 정수 L과 C로 특성 임피던스를 구한다. 선로 정수 계산 문제의 핵심 식이다.

솔레노이드 중심의 자속밀도

B=μnIB = μ n I
기호뜻단위
B자속밀도T
μ매질의 투자율H/m
n단위 길이당 감은 수회/m
I코일에 흐르는 전류A

긴 솔레노이드 안의 자속밀도는 단위 길이당 감은 수와 전류에 비례한다. 자계를 만드는 가장 기본적인 장치 모형이다.

자화를 더한 자속밀도

B=μ0(H+M)B = μ0 (H + M)
기호뜻단위
B자속밀도T
μ0진공의 투자율H/m
H자계의 세기A/m
M자화A/m

진공이 만드는 자계 성분과 물질이 스스로 만드는 자화 성분을 합쳐 자속밀도를 구한다. 자성체의 자화 상태를 나타내는 관계식이다.

감은 수를 넣은 코일의 자속밀도

B=μ0μr(NI/l)B = μ0 μr (N I / l)
기호뜻단위
B자속밀도T
μ0진공의 투자율H/m
μr상대 투자율무차원
N코일의 감은 수회
I코일에 흐르는 전류A
l코일의 길이m

N번 감은 코일에 전류 I를 흘렀을 때 길이 l 안에 생기는 자속밀도를 구한다. B = μ0 μr H에 코일의 자계 세기 H = NI/l를 대입한 형태다.

도체 구의 정전용량(반지름 a 표기)

C=4πε0aC = 4πε0 a
기호뜻단위
C정전용량F
ε0진공의 유전율F/m
a구의 반지름m

고립 도체 구의 정전용량 식에서 반지름 기호를 a로 적은 표기다. C = 4πε0 r과 같은 관계를 가리킨다.

선로 1km당 정전용량 표기

C=6μF/kmC = 6 μF/km
기호뜻단위
C선로 1km당 정전용량μF/km

선로의 정전용량을 길이 1km당 값으로 적은 표기 예시다. 케이블·선로의 정전용량은 길이에 비례하므로 km당 값으로 다룬다.

평행판 전극의 정전용량

C=εA/dC = εA/d
기호뜻단위
C정전용량F
ε매질의 유전율F/m
A전극의 면적m²
d전극 사이의 거리m

평행판 콘덴서의 정전용량은 전극 면적에 비례하고 전극 간격에 반비례한다. 유전체를 넣으면 유전율만큼 커진다.

점전하가 만드는 전계

E=Q/(4πε0r2)E = Q/(4πε0 r^2)
기호뜻단위
E전계의 세기V/m
Q점전하의 크기C
ε0진공의 유전율F/m
r전하까지의 거리m

점전하 Q가 거리 r 지점에 만드는 전계의 세기다. 전계는 거리의 제곱에 반비례해 약해진다.

같은 크기 전하 사이의 쿨롱 힘

F=kq2/r2F = k q^2 / r^2
기호뜻단위
F전하 사이에 작용하는 힘N
k쿨롱 상수N·m²/C²
q두 전하의 크기C
r전하 사이의 거리m

크기가 같은 두 전하 q가 거리 r에서 서로에게 주는 힘을 구한다. 쿨롱의 법칙을 같은 크기 전하에 대해 적은 형태다.

무왜선 조건을 G에 대해 정리한 식

G=(R⋅C)/LG = (R·C)/L
기호뜻단위
G선로의 누설 콘덕턴스S
R선로의 저항Ω
C선로의 정전용량F
L선로의 인덕턴스H

선로의 네 분포 정수 사이 관계를 누설 콘덕턴스에 대해 정리한 형태다. 신호의 파형이 일그러지지 않는 조건을 다룰 때 쓰는 관계식이다.

유효 전력으로 구한 전류(역률 포함)

I=P/(Vcosθ)(=I=P/(V⋅pf))I = P/(V cosθ) (= I = P/(V·pf))
기호뜻단위
I전류A
P유효 전력W
V전압V
cosθ역률무차원
pf역률(cosθ의 다른 표기)무차원

단상 회로에서 유효 전력으로 전류를 구할 때는 역률을 나누 준다. cosθ와 pf는 같은 뜻을 적는 두 가지 표기다.

교류 회로의 옴의 법칙

I=V/ZI = V/Z
기호뜻단위
I전류A
V전압V
Z임피던스Ω

교류에서는 전압을 임피던스로 나눈 것이 전류가 된다. 저항만 있는 직류 회로의 옴의 법칙을 교류로 확장한 형태다.

4단자 회로망 전류식(출력 전류 항이 없는 꼴)

I1=C⋅V2I1 = C·V2
기호뜻단위
I1입력측 전류A
C4단자 회로망의 F 상수S
V2출력측 전압V

4단자 회로망의 전류 등식에서 출력 전류 항을 제외한 특수한 꼴이다. 출력측 조건이 단순한 문제에 쓰인다.

4단자 회로망의 전류 등식(F 상수)

I1=C⋅V2+D⋅I2I1 = C·V2 + D·I2
기호뜻단위
I1입력측 전류A
C4단자 회로망의 F 상수S
V2출력측 전압V
D4단자 회로망의 F 상수무차원
I2출력측 전류A

입력측 전류가 출력측 전압과 전류로 어떻게 이어지는지를 나타내는 F 상수 전류 등식이다. 4단자 회로망 해석의 기본 관계다.

전류의 복소수 표기 예

Ic=−3+j10(A)Ic = -3+j10(A)
기호뜻단위
Ic복소수로 적은 전류A
-3실수부A
j10허수부A

교류 전류를 복소수로 적은 표기 예시로 자료에 수록된 값이다. 실수부와 허수부를 그대로 보존해 크기와 위상을 함께 나타낸다.

이 개념 문제 10개 풀기

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